崇悦华

崇悦华

(公元1939～今)，江苏滨海人。著名公安部一所高级工程师，专业技术三级警监。主要从事半导体光电器件研制工作。主持摄像管系列产品靶面研究和生产。其中图像存贮管等获国家科学大会奖；碲化锌镉系列摄像管获国家科技进步三等奖，公安部科技进步一等奖和二等奖；作为主要参加者，参与系列硅靶微光摄像管研制和生产，获国家科技进步二等奖，公安部科技进步一等奖。发表论文约二十万字，其中《摄像靶负像》用静电场理论和半导体理论，在世界上首次完整建立摄像靶负像理论模型；《摄像靶光电转换特性》首次在世界上完整解释光电转换特性的物理机制。首先在国内建立三氯乙烯预氧化处理工艺，有效消除硅单晶二次缺陷，大大提高硅靶的成品率。此项工艺也适用于其它半导体器件的生产。碲化锌镉摄像管靶面制作工艺，实际上完全可以用于制作相同材料的太阳能电池，工艺成熟，转换效率也高。希望与有志者合作，开发新的能源。